型号:

IRLMS1902TRPBF

RoHS:无铅 / 符合
制造商:International Rectifier描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IRLMS1902TRPBF PDF
产品目录绘图 IR Hexfet Micro-6, 6-TSOP
标准包装 1
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 100 毫欧 @ 2.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 300pF @ 15V
功率 - 最大 1.7W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
供应商设备封装 Micro6?(TSOP-6)
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1523 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRLMS1902TRPBF
IRLMS1902PBFCT
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